Silicon Drift Detector Beryllium Window
Silicon Drift Detector (SDD) is an advanced type of semiconductor detector widely used in X-ray and particle detection, particularly in energy spectrum analysis (such as EDS/EDX), synchrotron radiation, nuclear physics, and other fields.
Silicon Drift Detector Beryllium Window
“Silicon Drift Detector”（简称 SDD）是一种先进的半导体探测器，广泛应用於 X 射线和粒子探测中，特别是在能谱分析（如 EDS/EDX）和同步辐射、核物理等领域。
基本原理
SDD 探测器是利用 横向电场漂移（Drift） 原理，使电子从产生点沿电场线漂移到一个小面积的阳极（anode）。这种设计降低了电容，使其能以更高的解析度、更低的噪声与更快的速度进行能量分析。
主要特点
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特性 |
说明 |
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高能量解析度 |
通常可达到 125–140 eV（Mn Kα 线），优於传统 Si-PIN 探测器 |
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快速计数能力 |
适合高通量应用，能应对更高的输入计数率（>1 Mcps） |
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低噪声设计 |
小阳极结构减少电容，有效降低电子噪声 |
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宽能量范围 |
适合检测 0.1 keV 到数十 keV 的 X 射线 |
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热电冷却 |
多数 SDD 使用 Peltier 制冷，不需液氮 |
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可靠稳定 |
适用於长时间测量，灵敏度高、稳定性佳 |
常见应用领域
- X-ray Fluorescence（XRF）
- Energy Dispersive Spectroscopy（EDS/EDX）
- Synchrotron Radiation
- Particle Physics
- Material Science
- Semiconductor analysis
补充说明
与传统 Si-PIN 探测器相比，SDD 更先进，能提供更快的数据处理速度和更好的能量分辨率，因此在现代电子显微镜与高端分析仪器中几乎已全面取代 Si-PIN。
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Item |
Specification |
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Product Name |
Beryllium Window Brazed Assembly |
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Window Diameter |
7 mm (Customizable) |
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Thickness |
0.025 mm (Thinnest 0.012mm) |
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Temperature Resistance |
Up to 350°C (max 400°C under vacuum) |
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Cap |
Stainless steel / Nickel steel |
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Leakage Rate |
≤ 1.0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/sec |
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Remarks |
Thin beryllium foil; can be baked at 400°C in vacuum. For atmospheric use, do not exceed 350°C. Custom non-standard flange shapes available upon request. |