Silicon Drift Detector Beryllium Window
Silicon Drift Detector (SDD) is an advanced type of semiconductor detector widely used in X-ray and particle detection, particularly in energy spectrum analysis (such as EDS/EDX), synchrotron radiation, nuclear physics, and other fields.
Silicon Drift Detector Beryllium Window
“Silicon Drift Detector”（簡稱 SDD）是一種先進的半導體探測器，廣泛應用於 X 射線和粒子探測中，特別是在能譜分析（如 EDS/EDX）和同步輻射、核物理等領域。
基本原理
SDD 探測器是利用 橫向電場漂移（Drift） 原理，使電子從產生點沿電場線漂移到一個小面積的陽極（anode）。這種設計降低了電容，使其能以更高的解析度、更低的噪聲與更快的速度進行能量分析。
主要特點
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特性 |
說明 |
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高能量解析度 |
通常可達到 125–140 eV（Mn Kα 線），優於傳統 Si-PIN 探測器 |
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快速計數能力 |
適合高通量應用，能應對更高的輸入計數率（>1 Mcps） |
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低噪聲設計 |
小陽極結構減少電容，有效降低電子噪聲 |
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寬能量範圍 |
適合檢測 0.1 keV 到數十 keV 的 X 射線 |
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熱電冷卻 |
多數 SDD 使用 Peltier 製冷，不需液氮 |
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可靠穩定 |
適用於長時間測量，靈敏度高、穩定性佳 |
常見應用領域
- X-ray Fluorescence（XRF）
- Energy Dispersive Spectroscopy（EDS/EDX）
- Synchrotron Radiation
- Particle Physics
- Material Science
- Semiconductor analysis
補充說明
與傳統 Si-PIN 探測器相比，SDD 更先進，能提供更快的數據處理速度和更好的能量分辨率，因此在現代電子顯微鏡與高端分析儀器中幾乎已全面取代 Si-PIN。
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Item |
Specification |
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Product Name |
Beryllium Window Brazed Assembly |
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Window Diameter |
7 mm (Customizable) |
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Thickness |
0.025 mm (Thinnest 0.012mm) |
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Temperature Resistance |
Up to 350°C (max 400°C under vacuum) |
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Cap |
Stainless steel / Nickel steel |
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Leakage Rate |
≤ 1.0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/sec |
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Remarks |
Thin beryllium foil; can be baked at 400°C in vacuum. For atmospheric use, do not exceed 350°C. Custom non-standard flange shapes available upon request. |